硅基氮化鎵 E型MOSc-HEMT的演示。TEM橫截面顯示了角落處全凹槽MOS柵極的輪廓。柵長設置為1um。
IEDM 2020上的研究論文展示了該研究所如何克服嵌入MOS柵極的GaN器件在結構和性能方面的挑戰。
CEA-Leti的兩份補充研究論文證實，該研究所的GaN技術方法正在克服嵌入在MOS柵極中的先進GaN器件的結構和性能挑戰，并且旨在迅速發展的全球功率轉換系統市場。
在IEDM 2020上發表的論文中，科學家們詳述了基于GaN-on-Si的HEMT（稱為GaN-on-Si HEMT）變體的實驗。與硅相比，基于GaN的半導體可以改善日益緊湊的功率轉換器的性能和可靠性，并且AIGaN / GaN HEMT具有高功率和低噪聲特性的，其在高頻應用中已顯示出有替代基于Si或SiC的功率轉換解決方案的潛力。因此，對于許多終端用戶應用，從智能手機到廚房電器和電動汽車，從電池裝載器到DC / DC或AC / DC轉換器，這種技術有望成為一種高性價比的功率轉換解決方案。
綜合來看，這兩篇論文為CEA-Leti在IRT Nanoelec框架下開發的GaN MOS-c HEMT的柵極堆棧提供了新的理解。它們展示了GaN MOS堆棧表征的復雜性，以及報告和分析可靠參數值對深厚專業知識的要求。這些論文中提出的工作也將有助于解決GaN器件中產生的有害效應以提高可靠性，這是CEA-Leti在產業轉移過程中的主要任務之一。
論文《硅基氮化鎵 E型MOSc-HEMT中與碳相關的pBTI退化機制》 研究了晶體管柵極正偏壓時發生的正偏壓溫度不穩定性(pBTI)效應背后的物理學原理，以確定這種效應的根本原因，并將其最小化。
“我們證明，在正柵極應力下，電壓閾值（Vth）的不穩定性是由兩類陷阱引起的。”該論文的作者Aby-GaëlViey說，“*個與柵極氧化物的缺陷有關，這是一種已知的效應，第二種與柵極界面GaN中氮位的碳原子存在有關，這是一個發現，因此證實了IEDM上提出的結論。”
一般來說，在以BTI為常見可靠性測試的MOS技術（例如基于Si / SiGe / Ge的CMOS技術）中，Vth不穩定性的根本原因與氧化物缺陷有關，這些缺陷可由電子或空穴帶電或放電，這取決于器件類型（n/p-MOS）和偏置極性。就GaN MOS-c HEMT而言，晶體管下方生長的外延結構非常復雜，并且很不均勻。
這項研究也證實了CEA-Leti在2019年IEDM論文中報告的工作結論，即GaN-in-N[CN]中的碳，通常作為深能級受主引入，以產生用于擊穿-電壓管理的半絕緣GaN層，它與常見的氧化物陷阱充電一起造成一部分BTI不穩定性。因此，外延結構是減少和降低GaN功率器件不穩定性的重要關鍵點。
"此外，我們最近的工作表明，可以非常精確地模擬和預測這些閾值電壓不穩定性，"Viey補充道，"事實上，已知的捕獲發射時間(CET)圖模型被用來確認兩類陷阱的存在，并預測在一定的柵極/溫度應力條件下的pBTI退化(Vth 漂移)。"
論文《對硅基氮化鎵MOS-c HEMT界面陷阱密度（Dit）抽取之新穎見解》旨在研究表征氧化物/ GaN界面的電學質量，以了解CEA-Leti柵極堆棧的界面陷阱密度是否是硅基氮化鎵MOS-c HEMT主要的閾值電壓（Vth）貢獻者，并證實了該所歷經十年研發的解決方案的性能。
界面陷阱密度抽取提取了在氧化物/半導體界面上具有電活性的界面缺陷的密度，以及其在其能量方面隨半導體帶隙的分布。它之所以重要，是因為Vth直接關系到半導體的金屬柵極功函數和摻雜等物理參數，這些參數很容易調整，還關系到一些缺陷相關的參數，如氧化物中的固定電荷或移動電荷以及界面態密度。如果界面沒有經過正確的鈍化和處理，這種密度會極大地影響Vth。
就GaN MOS-c HEMT而言，該平臺還消除了對有源精密光纖的需求。在氧化物沉積之前對GaN進行干法刻蝕，這種積極的工藝步驟會對未來的氧化物/GaN界面產生巨大的影響。因此，開發和優化基于MOS的GaN功率器件需要具有準確可靠的界面表征技術。“對于其他行業或研究人員來說，這種方法將有助于評估界面密度。”論文作者William Vandendaele說。
Vandendaele表示，CEA-Leti研究人員的下一步工作是擴大團隊對GaN MOSc HEMT的柵堆棧優化的理解，以最大程度地降低Dit值，并將最佳的產品、工藝和表征方法轉讓給該研究所在IRT PowerGan的工業合作伙伴。
CEA-Leti將繼續推進其GaN路線圖，進一步研究外延、器件、無源元件、共集成和系統架構，以開發出一種GaN技術，使開關頻率達到兆赫，功率密度達到硅的十倍--所有這些都采用標準CMOS工藝，以降低成本。
