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SiC的經濟性前景可望！

芯智訊|Core Zhixun|

2022-03-10 13:12:27 7

從SiC在生產制造上的困難和挑戰看SiC的成本問題

非常慢的生長速度以及主流尺寸只有4-6英寸，決定了碳化硅的襯底價格遠高于硅襯底。

相比于Si的拉單晶生長，碳化硅的單晶需要更高的溫度和更復雜的生長方法。
Si單晶的生長速度約為300mm/h，碳化硅單晶的生長速度約為400um/h，兩者差了近800倍。
SiC晶錠的長度比硅短得多，大約只有20-50mm。
質量方面，碳化硅位錯密度遠高于硅、砷化鎵等材料。本身還存在一些較大的應力，導致面型參數還有些問題。這些問題會降低外延材料的質量，降低器件的制造良率，影響期間的可靠性和壽命。

隨著技術的進步以及制造工藝的升級，SiC成本正快速下降

隨著SiC功率器件技術的進步和制造工藝從4英寸升級到6英寸，器件產業化水平不斷提高，SiC功率器件的成本正快速下降。

目前業界對于SiC材料的成本下降曲線較為樂觀，單位逆變器峰值相電流價值量（$/Arms）2025年有望降至當前新能源汽車IGBT 單位成本水平。根據STM對MOSFET（SiC）和IGBT（Si 基）的成本對比，預計2-3年內MOSFET（SiC）的成本有望下降至IGBT（Si 基）的 2~2.5 倍，年均降幅約15%。