半導(dǎo)體板塊暴漲！中國“芯片對抗”計劃曝光：投資規(guī)模高達(dá)1萬億美元？

芯智訊|Core Zhixun|

2022-03-10 13:23:26 7

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6月17日消息，據(jù)彭博社爆料稱，中國政府高層正在推動一項旨在幫助中國芯片制造商克服美國制裁的關(guān)鍵舉措，從而重新推動中國多年來實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片自給自足的努力。

第三代半導(dǎo)體成為“突圍”的關(guān)鍵

據(jù)知情人士透露，副總理劉鶴將是該項“芯片對抗”計劃的主要負(fù)責(zé)人，該計劃包括了龐大的投資組合，涵蓋貿(mào)易、金融和技術(shù)。目前已被率先用于推動發(fā)展第三代半導(dǎo)體芯片，并正在領(lǐng)導(dǎo)制定一系列對該技術(shù)的金融和政策支持。

資料顯示，與以Si、Ge為代表的*代半導(dǎo)體和以GaAs、InP為代表的第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。

而GaN和SiC則是第三代半導(dǎo)體材料的代表，他們都具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強(qiáng)等特點，具有強(qiáng)大的功率處理能力、較高的開關(guān)頻率、更高的電壓驅(qū)動能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散熱能力，可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫高頻、高功率、高輻射等惡劣環(huán)境條件的要求，先天性能優(yōu)越。

第三代半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域廣闊，據(jù)CASA Research數(shù)據(jù)，消費類電源、工業(yè)及商業(yè)電源、不間斷電源UPS和新能源汽車為SiC、GaN電子電力器件的前四大應(yīng)用領(lǐng)域，分別占比28%、26%、13%和11%。另外在通訊領(lǐng)域，基于第三代半導(dǎo)體的射頻器件也有著極為重要的地位。

隨著下游終端需求不斷增長，第三代半導(dǎo)體的需求亦有望持續(xù)釋放。同時疊加*政策對第三代半導(dǎo)體發(fā)展的大力支持，行業(yè)潛在市場空間巨大，據(jù)《2020“新基建”風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展與投資價值白皮書》指出，2019年我國第三代半導(dǎo)體市場規(guī)模為94.15億元，預(yù)計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度，到2022年市場規(guī)模將達(dá)到623.42億元。

更為關(guān)鍵的是，目前第三代半導(dǎo)體是一個新興領(lǐng)域，它依賴于傳統(tǒng)硅以外的更新的材料和設(shè)備，目前是一個沒有任何公司或*占據(jù)主導(dǎo)地位的領(lǐng)域，這也為中國提供了避開美國及其盟友對其芯片制造行業(yè)設(shè)置的障礙的最佳機(jī)會之一。

此前，美國上任總體特朗普在任期內(nèi)，持續(xù)通過實體清單打壓中國科技企業(yè)，比如多次升級對于華為的制裁，已經(jīng)限制了華為旗下海思半導(dǎo)體從晶圓代工廠獲得先進(jìn)制程芯片。在拜登政府上臺之后，也延續(xù)了特朗普政策，大力發(fā)展美國半導(dǎo)體制造，同時進(jìn)一步聯(lián)合其盟友意圖組建排華半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。美國的持續(xù)打壓嚴(yán)重阻礙了中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，以及中國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全。

中國目前是全球最大的芯片消耗國，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全對于中國來說極為重要。

此次，劉鶴直接負(fù)責(zé)中國的芯片工作，突顯了中國政府對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重視程度，隨著美國、日本、韓國以及歐盟等都開始爭相加盟支持本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，這對于中國來說也變得越來越緊迫。

根據(jù)一份政府聲明顯示，今年5月，劉鶴牽頭召開了技術(shù)工作組會議，討論了發(fā)展第三代半導(dǎo)體技術(shù)的方法。這位 69 歲的副總理自 2018 年以來一直領(lǐng)導(dǎo)中國的技術(shù)改革工作組，他也在監(jiān)督可能推動傳統(tǒng)芯片制造突破的項目，包括開發(fā)中國自己的芯片設(shè)計軟件和極紫外光刻機(jī)。

投資規(guī)模達(dá)1萬億美元？

據(jù)彭博社援引知情人士的話報道稱，Liu He領(lǐng)導(dǎo)的這項“芯片對抗”計劃，已預(yù)留了約1萬億美元的政府資金，其中一部分將由中央和地方政府共同投資于一系列第三代芯片項目。

*芯片制造商和研究機(jī)構(gòu)向科技部和工業(yè)信息化部提交了提案，都在爭奪*計劃和融資份額。根據(jù)一份政府文件，科技部計劃向包括第三代芯片在內(nèi)的一些關(guān)鍵“戰(zhàn)略電子材料”注資4億元人民幣（6200 萬美元）。

甚至登月芯片計劃也需要政府資助。*支持的中國*自然科學(xué)基金委員會已承諾為數(shù)十項探索性研究項目提供資金支持，從超低功耗到開發(fā)可以收集和傳輸神經(jīng)信號的柔性芯片。

其中一位知情人士說，已經(jīng)受到美國制裁的中國電子科技集團(tuán)公司和中國鐵建的幾家子公司是支持這項努力的*支持公司之一。另一家與政府有關(guān)聯(lián)的巨頭中國電子集團(tuán)公司是第三代半導(dǎo)體芯片開發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)者之一，這得益于其對包括 CEC Semiconductor Co. 在內(nèi)的小型公司的投資。CEC Semiconductor 利用自己的內(nèi)部技術(shù)生產(chǎn)基于碳化硅的可在 200 攝氏度下工作的功率器件，適用于從電信到電動汽車的多個關(guān)鍵行業(yè)——減少中國對英飛凌、羅姆和科銳等海外供應(yīng)商的依賴。

協(xié)調(diào)這個龐大的芯片計劃的任務(wù)現(xiàn)在落在了劉鶴身上，他必須跟蹤相關(guān)資源并推動*戰(zhàn)略，幫助中國實現(xiàn)芯片獨立。

在今年5月底的一場會議上，劉鶴表示，“對我們*來說，技術(shù)和創(chuàng)新不僅僅是增長的問題，這也是一個生存問題。”

半導(dǎo)體股掀起漲停潮

受今天中午彭博社發(fā)布的這篇關(guān)于中國“芯片對抗”計劃的報道影響，今天下午A股開盤后，整個半導(dǎo)體及元件板塊便開始大幅上漲。

截至收盤，整個半導(dǎo)體及元件板塊大幅上漲6.48%。全志科技、芯海科技、兆易創(chuàng)新等十多家半導(dǎo)體芯片企業(yè)成功漲停。

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特別是第三代半導(dǎo)體板塊漲幅更是高達(dá)8.44%。比如聚燦光電上漲20.01%、臺基股份上漲19.99%、華潤微上漲19.13%、三安光電上漲10%、士蘭微上漲10%、露笑科技上漲10%。

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另外，半導(dǎo)體設(shè)備及材料相關(guān)標(biāo)的股價也大幅上漲。比如半導(dǎo)體廠商北方華創(chuàng)上漲10%、中微半導(dǎo)體上漲16.47%；半導(dǎo)體材料廠商南大光電上漲13.98%、上海新陽上漲13.24%、安集科技上漲11.49%、滬硅產(chǎn)業(yè)上漲9.6%、晶瑞股份上漲9.32%、江豐電子上漲6.39%。

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